일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
---|---|---|---|---|---|---|
1 | 2 | |||||
3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 |
10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 |
17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 |
24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 |
- 그루데 이론
- 전자의 속도
- 에너지 역학
- 3 o'clock things
- drude
- X선 공학
- 바일 준금속
- 흡광
- 라만 분석기
- 고체물리학
- 에디슨의 패배
- 라만 현상
- X선 기초
- von laue
- 특성스펙트럼
- X선
- 연속스펙트럼
- 전기장이 가해진
- Raman
- 일상
- 재료과학
- 웨일 페르미온??
- 빛의 손실
- 결정구조학
- 라만 분석
- laue
- 륀트겐
- 바일 페르미온
- 화합물 반도체
- X선의 발견
- Today
- Total
공머생의 공부노트
교류회로-C만의 회로 본문
3. 정전용량만의 회로
커패시터는 매우 작은 두 판이 닿지 않고 떨어져 있는 형태로 전압이 가해짐에 따라 극판 사이로 전류가 흐르지 않고 전류가 축척된다.
콘덴서에는 전압이 가해짐에 따라 전하가 축적되고 이는 전압과 정전용량 상수에 비례한다.
$$ Q = CV $$
커패시터만 존재하는 회로에서 커패시터의 전압은 전압기의 전압과 동일하므로 Q는 전압이 변함에 따라 같은 위상으로 변화한다.
$$ \frac{dQ}{dt} = C \frac{dV}{dt} $$
이때 Q와 V를 시간에 대한 함수로 본다면 C를 상수로 둔 채로 미분할 수 있다. Q를 시간에 대해 미분하면 전류가 되므로 아래와 같은 식이 성립한다.
$$ I = C \frac{dV}{dt}=C \frac{dV_{m}sin(wt)}{dt} $$
그러므로 전류의 공식은
$$ I = CwV_{m}cos(wt) $$
이때 cos(wt)는 1/2π만큼 빠른 sin(wt)이므로 cos(wt)=sin(wt+1/2π)가 된다.
$$ I = CwV_{m}sin(wt+\frac{1}{2}\pi) $$
즉 이 회로에서 전류의 위상은 전압보다 1/2π 만큼 빠르다.
3-1. 커패시턴스만의 회로 시뮬레이션
교류전원(V=Vmsin(wt))이 커패시턴스에 그대로 연결되어 있고 교류전원의 주파수는 60HZ, 최대 전압은 1V이다. 1/60초(0.016s)에 1주기가 지나가므로 0초부터 0.03초 사이를 확인한다.
실제로 전압이 sin(wt)에 증가함에 따라 전류는 90도 빠르게 위상이 변화하고 전류의 크기는 전압과 정전용량과 주파수에 비례한다. 즉 커패시턴스가 작아지면 전류의 값은 작아진다.
$$ I = CwV_{m}sin(wt+\frac{1}{2}\pi) $$
실제로 커패시턴스가 10배 작아짐에 따라 전류의 값이 10배 줄어든다. 이상적인 커패시턴스는 저항요소가 없기에 손실이 발생하지 않고 커패시턴스가 커지면 커질수록 전류의 값이 무한정 커지게 된다.
'전기-전자 공학 > 전자공학 이론' 카테고리의 다른 글
교류회로-L만의 회로 (0) | 2023.07.15 |
---|---|
교류회로-R만의 회로 (0) | 2023.07.15 |
Voltage Divider (전압 분배기) (0) | 2022.05.08 |
Voltage Drop (전압 강하 효과) (0) | 2022.05.08 |
축전기 (0) | 2022.03.30 |